前沿尖峰的一些抑制方法
1選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管，或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效，或在開(kāi)關(guān)管整流管的磁珠。磁芯材料選用對(duì)高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料，等。
2在二次側(cè)接入RC吸收回路可進(jìn)一步減小前沿尖峰的幅值，降低二極管恢復(fù)過(guò)程中的振蕩頻率。
3多個(gè)整流二極管并聯(lián)；適當(dāng)增大整流二極管的電流容量，可相對(duì)減小反向恢復(fù)時(shí)的關(guān)斷時(shí)間，限制反向短路電流的數(shù)值，可抑制電流尖峰和降低導(dǎo)通損耗。
4盡量使元件布局走線(xiàn)合理 ，減小大電流回路的面積，對(duì)EMI的抑制也比較有效。
后沿尖峰的抑制方法
5選用開(kāi)關(guān)速度快的整流二極管
6選用高導(dǎo)磁率的磁芯，變壓器設(shè)計(jì)時(shí)激磁電流盡可能小
7選用高磁通密度的材料，確保在惡劣環(huán)境下變壓器不會(huì)飽和。可取B值為飽和值的一半或1/3;
8選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。
9高頻變壓器繞制盡量減小漏感。采用夾心繞法或三文治繞法。繞線(xiàn)盡量均勻分布在骨架上。選用漆包線(xiàn)時(shí)要考慮到趨膚效應(yīng)。
10在開(kāi)關(guān)管的D-S之間并聯(lián)RC吸收回路。
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