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  • 高端驅動芯片MOS管知識
    • 發(fā)布時間:2020-03-04 17:06:58
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    高端驅動芯片MOS管知識
    現有的很多小信號放大電路都是由晶體管或MOS管的放大電路構成,其功率有限,不能把電路的功率做得很大。隨著現代逆變技術的逐步成熟,尤其是SPWM逆變技術,使信號波形能夠很好地在輸出端重現,并且可以做到高電壓,大電流,大功率。SPWM技術的實現方法有兩種,一種是采用模擬集成電路完成正弦調制波與三角波載波的比較,產生SPWM信號;另一種是采用數字方法。隨著應用的深入和集成技術的發(fā)展,已商品化的專用集成電路(ASIC)和專用單片機(8X196/MC/MD/MH)以及DSP,可以使控制電路結構簡化,集成度高。由于數字芯片一般價格比較高,所以在此采用模擬集成電路。主電路采用全橋逆變結構,SPWM波的產生采用UC3637雙PWM控制芯片,并采用公司推出的高壓浮動驅動集成模塊IR2110,從而減小了裝置的體積,降低了成本,提高了系統(tǒng)的可靠性。經本電路放大后,信號可達3kV,并保持了良好的輸出波形。
    三角波產生電路
    具有一個高速、帶寬為1MHz、輸出低阻抗的誤差放大器,既可以作為一般的快速運放,亦可作為反饋補償運放。UC3637實現其主要功能的就是兩個PWM比較器,實現電路。其他還有如欠壓封鎖,2.5V閾值控制等功能,這些功能在應用電路中也給予實現。
    三角波參數按式(1)及式(2)計算。
    Is=(1)
    f=(2)
    式中:VTH為三角波峰值的轉折(閾值)電壓;
    Vs為電源電壓;
    RT為定時電阻;
    CT為定時電容;
    Is為恒流充電電流;
    f為振蕩頻率。
    MOS管
    MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用:如果MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率,MOS管散熱發(fā)熱嚴重,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,如果G信號驅動能力不夠,將嚴重影響波形跳變的時間.
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