電容的頻率特性曲線
電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量，記為C，國(guó)際單位是法拉（F）。
一般來說，電荷在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存，儲(chǔ)存的電荷量則稱為電容。
電容表示符號(hào)
如上圖所示，前面表示電容的符號(hào)（無極性電容），其中使用最多的應(yīng)該就是瓷片電容，也就是MLCC。
前面是簡(jiǎn)單地表示，也表示理想的電容器。后者則是電容實(shí)際的模型，包含等效串聯(lián)電阻ESR和等效串聯(lián)電感ESL，產(chǎn)生的原因是生產(chǎn)工藝以及封裝體積大小導(dǎo)致的問題，比如引腳引線產(chǎn)生的寄生電感，由于所有物質(zhì)都不是超導(dǎo)體所以有阻抗。
理想電容器：
理想電容器就是介質(zhì)損耗為零，沒有漏電，分布電感為零，頻率特性一致，可以輸出趨于無窮大的電流，所以趨于零的時(shí)間就可以充滿電。
實(shí)際電容器
實(shí)際電容器內(nèi)部包含等效串聯(lián)電感和等效串聯(lián)電阻。而這兩個(gè)造成電容在使用時(shí)的發(fā)熱以及在高頻下不能快速的充放電，所以在使用電容時(shí)需要注意電容的頻率與阻抗曲線。
常見容值的頻率曲線
曲線最低點(diǎn)表示自諧振頻率點(diǎn)，此時(shí)阻抗最小；自諧振點(diǎn)之前為容性，超過自諧振點(diǎn)，電容逐漸成為感性。
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