MOSFET的截止頻率
定義
在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：“transit frequency”(fT)截止頻率
FT計(jì)算
MOS的小信號(hào)模型如下：
影響因素
根據(jù)式(8),可以知道
–增大Vgs可以增大FT
–減小溝道L會(huì)增大FT
進(jìn)一步說(shuō): 根據(jù)式(6)
–增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根）
–當(dāng)偏置電流恒定，減小溝道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]
注意
–FT不受S端和D端電容的影響。
–FT不受RG的影響，且仍等于上面(6)給出的值。
PS: 小尺寸MOS管FT筆記
FT隨過(guò)驅(qū)動(dòng)而增加，但隨著垂直電場(chǎng)減小了遷移率變平。下面繪制的是NMOS器件的fT，其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.
〈烜芯微/XXW〉專(zhuān)業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷(xiāo)省20%，上萬(wàn)家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號(hào)碼或加QQ/微信，由我們的銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號(hào)碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280